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Nexperia PMZ550UNE315 product image
Abbildung ähnlich

Nexperia PMZ550UNE315

Hersteller
Nexperia
Herst.-Teilenr.
PMZ550UNE315
LCSC-Nr.
C3276966
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
400mW 30V 590mA 950mV 670mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel Single FETs, MOSFETs
DatenblattNexperia PMZ550UNE315
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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200+$ 0.0129$ 2.58
500+$ 0.0124$ 6.20
1,000+$ 0.0122$ 12.20
Standardgehäuse10000/Full Bag
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerNexperia
Verp.-
Output Capacitance(Coss)5.8pF
Pd - Power Dissipation400mW
Configuration-
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)590mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))950mV
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)4.2pF
RDS(on)670mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)30.3pF
Gate Charge(Qg)1.1nC@4.5V
Vgs±8V
TypeN-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Trench MOSFET technology
  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection >2 kV HBM
  • Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0×0.6×0.48 mm

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side loadswitch
  • Switching circuits