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DIODES DMT3009LDT-7
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DMT3009LDT-7 |
| Cod. LCSC | C155503 |
| Imballo | V-DFN3030-8K |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET 30V 30A V-DFN3030-8K |
| Scheda Tecnica | DIODES DMT3009LDT-7 |
| Conformità RoHS | 5 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | V-DFN3030-8K | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| RDS(on) | 7.2mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | - | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 43pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 748pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.8nC@10V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 447pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | V-DFN3030-8K | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| RDS(on) | 7.2mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Type | - | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 43pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 748pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.8nC@10V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 447pF |
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Descrizione
Traduzione AI
This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> while maintaining excellent switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low gate threshold voltage
- Fully lead-free, fully RoHS compliant
- Halogen and antimony-free, "Green" device
Applicazioni
Traduzione AI
- General-purpose interface switch - Power management function
Disponibile: 2,550
2,550 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.3939 | $ 1.97 |
| 50+ | $ 0.3198 | $ 15.99 |
| 150+ | $ 0.288 | $ 43.20 |
| 500+ | $ 0.2194 | $ 109.70 |
| 3,000+ | $ 0.2018 | $ 605.40 |
| 6,000+ | $ 0.1912 | $ 1147.20 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | V-DFN3030-8K | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| RDS(on) | 7.2mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | - | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 43pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 748pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.8nC@10V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 447pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | V-DFN3030-8K | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| RDS(on) | 7.2mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Type | - | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 43pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 748pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.8nC@10V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 447pF |
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Descrizione
Traduzione AI
This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> while maintaining excellent switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low gate threshold voltage
- Fully lead-free, fully RoHS compliant
- Halogen and antimony-free, "Green" device
Applicazioni
Traduzione AI
- General-purpose interface switch - Power management function
C155503 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SISB46DN-T1-GE3-HXY | HXY MOSFET | DFN3x3-8L | 515 | $0.5597 $0.5891 | ||
| XRS60J04D | XNRUSEMI | DFN-8(3x3) | 2,590 | $0.1482 $0.1559 | ||
| ZC008DTG | DOINGTER | DFN-8D(3x3) | 155 | $ 0.1441 | ||
| S4896D | HL | PDFN-8(3x3) | 2,025 | $ 0.1972 | ||
| WSD3044DN33 | Winsok Semicon | DFN3X3-8L | 1,285 | $0.1229 $0.1365 | ||
| SIZ340BDT-T1-GE3 | VISHAY | Power-33-8(3x3) | 5,767 | $ 0.5801 | ||
| HSBB4252 | HUASHUO | PRPAK3x3-8L | 3,045 | $ 0.3379 | ||
| FDMC7200S | onsemi | Power-33-8 | 0 | $ 0.6158 | ||
| FDMC8200S | onsemi | Power-33-8 | 0 | $ 0.9196 | ||
| FDMC8200 | onsemi | Power-33-8 | 0 | $ 0.9574 |