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Infineon 2A200HB12C2F

Produttore
Infineon
Cod. Prod.
2A200HB12C2F
Cod. LCSC
C879892
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
1.1kW 200A 1.2kV Single IGBTs
Scheda TecnicaInfineon 2A200HB12C2F
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 97.7748$ 97.77
10+$ 96.6197$ 966.20
Package Standard10/Full Box
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
ProduttoreInfineon
Imballo-
Td(off)300ns
Pd - Power Dissipation1.1kW
Td(on)130ns
Current - Collector(Ic)200A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)470pF
IGBT Type-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)6.4V
Operating Temperature-40℃~+150℃
Vce Saturation(VCE(sat))2.25V
Collector Cut-Off Current (Ices)-
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)12.5mJ
Turn-On Energy (Eon)13.5mJ
Input Capacitance(Cies)11nF
Output Capacitance(Coes)-
Gate Charge(Qg)1.4uC@15V
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