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WUXI UNIGROUP MICRO TTD18P10AT
| Produttore | WUXI UNIGROUP MICROAsian Brands |
| Cod. Prod. | TTD18P10AT |
| Cod. LCSC | C691667 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 |
| Scheda Tecnica | WUXI UNIGROUP MICRO TTD18P10AT |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WUXI UNIGROUP MICRO | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 102pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WUXI UNIGROUP MICRO | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 102pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This ultra-high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a significantly reduced on-resistance combined with ultra-low gate charge, making it ideal for applications demanding the highest power density and efficiency.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench Power MOSFET Technology
- Low RDS(ON)
- Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switches
- Battery Switch
Disponibile: 105
105 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.3415 | $ 1.71 |
| 50+ | $ 0.2706 | $ 13.53 |
| 150+ | $ 0.2401 | $ 36.02 |
| 500+ | $ 0.2022 | $ 101.10 |
| 2,500+ | $ 0.1853 | $ 463.25 |
| 5,000+ | $ 0.1751 | $ 875.50 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WUXI UNIGROUP MICRO | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 102pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WUXI UNIGROUP MICRO | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 102pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This ultra-high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a significantly reduced on-resistance combined with ultra-low gate charge, making it ideal for applications demanding the highest power density and efficiency.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench Power MOSFET Technology
- Low RDS(ON)
- Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switches
- Battery Switch
C691667 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TTD30P10AT | WUXI UNIGROUP MICRO | TO-252-2 | 0 | $ 0.4682 |