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VISHAY SQJQ130EL-T1_GE3 product image
Abbildung ähnlich

VISHAY SQJQ130EL-T1_GE3

Hersteller
VISHAY
Herst.-Teilenr.
SQJQ130EL-T1_GE3
LCSC-Nr.
C6230438
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
30V 445A 2.5V 600W 0.52mΩ@10V 1 N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS
DatenblattVISHAY SQJQ130EL-T1_GE3
Nicht vorrätig
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 3.958$ 3.96
200+$ 1.5805$ 316.10
500+$ 1.5275$ 763.75
1,000+$ 1.5017$ 1501.70
Standardgehäuse2000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVISHAY
Verp.-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)445A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Pd - Power Dissipation600W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)1nF
RDS(on)0.52mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)23.345nF
Gate Charge(Qg)455nC@10V
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • TrenchFET 4th generation power MOSFET
  • AEC-Q101 qualified
  • 100% tested for Rg and UIS
  • 1.6mm ultra-thin package
  • Extremely low thermal resistance
  • RoHS compliant
  • Halogen-free

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Synchronous rectification
  • Primary-side switching
  • DC/DC converters
  • Solar micro-inverters
  • Motor drive switching
  • Battery and load switching
  • Industrial applications