LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Accedi
USD
Carrello
BL BLP045N10-P product image
  • BLP045N10-P thumbnail 1
  • BLP045N10-P thumbnail 2
  • BLP045N10-P thumbnail 3
  • Pinout
  • Footprint
Immagini a scopo illustrativo

BL BLP045N10-P

Produttore
BLAsian Brands
Cod. Prod.
BLP045N10-P
Cod. LCSC
C48677264
Imballo
TO-220
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Scheda TecnicaBL BLP045N10-P
Parti alternative1
Disponibile: 430
430 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 0.8923$ 0.89
10+$ 0.7452$ 7.45
50+$ 0.67$ 33.50
100+$ 0.5965$ 59.65
500+$ 0.5524$ 276.20
1,000+$ 0.5311$ 531.10
Package Standard50/Full Tube
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreBL
ImballoTO-220
Drain to Source Voltage100V
Output Capacitance(Coss)955pF
Current - Continuous Drain(Id)120A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Pd - Power Dissipation227.2W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)124pF
RDS(on)3.8mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)6.95nF
Gate Charge(Qg)102nC@10V
TypeN-Channel
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Descrizione

Traduzione AI

BLP045N10 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET utilizing advanced dual-trench technology to reduce conduction losses, improve switching performance, and enhance avalanche energy capability. The device is suitable for motor drivers and battery management systems (BMS).

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Fast switching
  • Low on-resistance (RDS(on) ≤ 4.5 mΩ)
  • Low gate charge
  • Low reverse transfer capacitance
  • High avalanche ruggedness
  • RoHS compliant

Applicazioni

Traduzione AI
  • Motor drivers
  • Battery Management System (BMS)

Parti alternative

MPNProduttoreImballaggioDisponibilitàPrezzo unitario
BLP023N10-PBLTO-220940$ 0.9871