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DIODES DMN4800LSSQ-13
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DMN4800LSSQ-13 |
| Cod. LCSC | C461027 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8 |
| Scheda Tecnica | DIODES DMN4800LSSQ-13 |
| Conformità RoHS | 5 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.46W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 122pF | |
| RDS(on) | 20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 798pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.7nC |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.46W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 122pF | |
| RDS(on) | 20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 798pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.7nC |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable
Applicazioni
Traduzione AI
- Backlighting
- Power Management Functions
- DC-DC Converters
Disponibile: 25
25 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.3568 | $ 1.78 |
| 50+ | $ 0.2839 | $ 14.20 |
| 150+ | $ 0.2527 | $ 37.91 |
| 500+ | $ 0.2137 | $ 106.85 |
| 2,500+ | $ 0.1964 | $ 491.00 |
| 5,000+ | $ 0.186 | $ 930.00 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.46W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 122pF | |
| RDS(on) | 20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 798pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.7nC |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.46W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 122pF | |
| RDS(on) | 20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 798pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.7nC |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable
Applicazioni
Traduzione AI
- Backlighting
- Power Management Functions
- DC-DC Converters
C461027 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN4800LSS-13 | DIODES | SO-8 | 670 | $ 0.1253 | ||
| DMN4800LSSL-13 | DIODES | SO-8 | 1,315 | $0.1365 $0.2166 | ||
| TPNCE4009S | TECH PUBLIC | SOP-8 | 6,050 | $0.0897 $0.1055 | ||
| AO4410-MS | MSKSEMI | SOP-8 | 2,800 | $ 0.1142 | ||
| AO4410-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 482 | $ 0.1198 | ||
| FDS8896-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 160 | $0.2730 $0.2873 | ||
| HXY4430S | HXY MOSFET | SOP-8 | 79 | $ 0.116 | ||
| IRF7458PBF-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 45 | $0.3020 $0.3178 | ||
| SI4386DY-T1-E3-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 45 | $0.2926 $0.3079 | ||
| FDS8817NZ-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 5 | $0.2112 $0.2223 |