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Modelli EDAEasyEDA
JSCJ CJAC80SN10
| Produttore | JSCJAsian Brands |
| Cod. Prod. | CJAC80SN10 |
| Cod. LCSC | C2913221 |
| Imballo | PDFNWB5x6-8L |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 100V 80A PDFNWB5x6-8L |
| Scheda Tecnica | JSCJ CJAC80SN10 |
| Parti alternative | 4 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSCJ | |
| Imballo | PDFNWB5x6-8L | |
| Output Capacitance(Coss) | 650pF | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| RDS(on) | 10.5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 100nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSCJ | |
| Imballo | PDFNWB5x6-8L | |
| Output Capacitance(Coss) | 650pF | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| RDS(on) | 10.5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 100nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The CJAC80SN10 utilizes shielded gate trench technology and design to deliver excellent RDS(ON) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- High-quality package with excellent thermal performance
- Ultra-low gate charge
- Low reverse transfer capacitance
- Fast switching capability
- Specified avalanche energy
Applicazioni
Traduzione AI
- Power switching applications
Disponibile: 17,286
17,286 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.7555 | $ 0.76 |
| 10+ | $ 0.6457 | $ 6.46 |
| 30+ | $ 0.5917 | $ 17.75 |
| 100+ | $ 0.5376 | $ 53.76 |
| 500+ | $ 0.4901 | $ 245.05 |
| 1,000+ | $ 0.472 | $ 472.00 |
Package Standard5000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSCJ | |
| Imballo | PDFNWB5x6-8L | |
| Output Capacitance(Coss) | 650pF | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| RDS(on) | 10.5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 100nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSCJ | |
| Imballo | PDFNWB5x6-8L | |
| Output Capacitance(Coss) | 650pF | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| RDS(on) | 10.5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 100nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The CJAC80SN10 utilizes shielded gate trench technology and design to deliver excellent RDS(ON) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- High-quality package with excellent thermal performance
- Ultra-low gate charge
- Low reverse transfer capacitance
- Fast switching capability
- Specified avalanche energy
Applicazioni
Traduzione AI
- Power switching applications
C2913221 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| CJAC110SN10A | JSCJ | PDFNWB5x6-8L | 6 | $ 1.2016 | ||
| CJAC90SN12 | JSCJ | PDFNWB5x6-8L | 8,717 | $ 1.6503 | ||
| CJAC110SN10L | JSCJ | PDFNWB5x6-8L | 25,073 | $ 1.1538 | ||
| CJAC110SN10H | JSCJ | PDFNWB5x6-8L | 2,817 | $ 0.7638 |