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Taiwan Semiconductor BZS55C9V1 RAG
| Produttore | Taiwan SemiconductorAsian Brands |
| Cod. Prod. | BZS55C9V1 RAG |
| Cod. LCSC | C19850331 |
| Imballo | 1206 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 1 Independent 8.65V~9.56V 9.1V 1206 Single Zener Diodes RoHS |
| Scheda Tecnica | Taiwan Semiconductor BZS55C9V1 RAG |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | 1206 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100nA | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 8.65V~9.56V | |
| Zener Voltage(Nom) | 9.1V | |
| Impedance(Zzk) | 50Ω |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | 1206 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100nA | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 8.65V~9.56V | |
| Zener Voltage(Nom) | 9.1V | |
| Impedance(Zzk) | 50Ω |
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.0679 | $ 0.07 |
| 200+ | $ 0.0271 | $ 5.42 |
| 500+ | $ 0.0262 | $ 13.10 |
| 1,000+ | $ 0.0258 | $ 25.80 |
Package Standard5000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | 1206 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100nA | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 8.65V~9.56V | |
| Zener Voltage(Nom) | 9.1V | |
| Impedance(Zzk) | 50Ω |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | 1206 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | ±5% | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100nA | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 8.65V~9.56V | |
| Zener Voltage(Nom) | 9.1V | |
| Impedance(Zzk) | 50Ω |
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Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BZS55C9V1 | Taiwan Semiconductor | 1206 | 0 | $ 0.0679 | ||
| BZS55C8V2 RAG | Taiwan Semiconductor | 1206 | 0 | $ 0.0679 | ||
| BZS55C10 | Taiwan Semiconductor | 1206 | 0 | $ 0.0679 | ||
| BZS55C8V2 | Taiwan Semiconductor | 1206 | 0 | $ 0.0679 | ||
| BZS55C10 RAG | Taiwan Semiconductor | 1206 | 0 | $ 0.0679 |