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onsemi NXH50C120L2C2ES1G

Produttore
onsemi
Cod. Prod.
NXH50C120L2C2ES1G
Cod. LCSC
C906532
Imballo
DIP-26
Numero Cliente
Attr. chiave
50A 1.2kV DIP-26 Single IGBTs RoHS
Scheda Tecnicaonsemi NXH50C120L2C2ES1G
Conformità RoHS3 documenti disponibili
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 86.4203$ 86.42
200+$ 33.4437$ 6688.74
500+$ 32.2689$ 16134.45
1,000+$ 31.6886$ 31688.60
Package Standard6/Full Tube
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
Produttoreonsemi
ImballoDIP-26
Pd - Power Dissipation-
Td(off)380ns
Td(on)144ns
Current - Collector(Ic)50A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)240pF
IGBT Type-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)6V
Operating Temperature-40℃~+150℃
Vce Saturation(VCE(sat))1.8V
Collector Cut-Off Current (Ices)-
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)1.7mJ
Turn-On Energy (Eon)5.87mJ
Input Capacitance(Cies)11.897nF
Output Capacitance(Coes)416pF
Gate Charge(Qg)558nC
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