onsemi MJE344G

제조업체	onsemi
제조사 품번	MJE344G
LCSC 번호	C898407
포장	TO-225-3
고객 번호
주요 제원	200V 30 500mA NPN TO-225-3 Single Bipolar Transistors RoHS
데이터시트	onsemi MJE344G
RoHS 준수	3개 문서 이용 가능

제품 사양

전체

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	TO-225-3
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Current - Collector Cutoff	100uA
Transition frequency(fT)	15MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	200V
DC Current Gain	30
Pd - Power Dissipation	20W
Current - Collector(Ic)	500mA
type	NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	1V

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	TO-225-3
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Current - Collector Cutoff	100uA
Transition frequency(fT)	15MHz

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This device is suitable for medium-voltage applications requiring high fT, such as converters and extended-range amplifiers.

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카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	TO-225-3
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Current - Collector Cutoff	100uA
Transition frequency(fT)	15MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	200V
DC Current Gain	30
Pd - Power Dissipation	20W
Current - Collector(Ic)	500mA
type	NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	1V

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	TO-225-3
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Current - Collector Cutoff	100uA
Transition frequency(fT)	15MHz

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