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Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDMS1D5N03
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDMS1D5N03 |
| Cod. LCSC | C891047 |
| Imballo | PQFN-8(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | PQFN-8(5x6) Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS1D5N03 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | PQFN-8(5x6) |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Imballo | PQFN-8(5x6) |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is designed to improve overall efficiency and minimize switching node ringing in DC/DC converters using synchronous or conventional switching PWM controllers. It is optimized for low gate charge and ultra-low RDS(ON).
Caratteristiche
Traduzione AI
- Maximum rDS(on) = 1.15 mΩ at VGS = 10 V, ID = 40 A
- Maximum rDS(on) = 1.3 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 37 A
- Advanced package and silicon combination for low RDS(ON) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL1 tested
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- OR-gate FET
- Synchronous rectifier
Non disponibile al momento
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | PQFN-8(5x6) |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Imballo | PQFN-8(5x6) |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is designed to improve overall efficiency and minimize switching node ringing in DC/DC converters using synchronous or conventional switching PWM controllers. It is optimized for low gate charge and ultra-low RDS(ON).
Caratteristiche
Traduzione AI
- Maximum rDS(on) = 1.15 mΩ at VGS = 10 V, ID = 40 A
- Maximum rDS(on) = 1.3 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 37 A
- Advanced package and silicon combination for low RDS(ON) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL1 tested
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- OR-gate FET
- Synchronous rectifier
C891047 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |