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VISHAY SIB417EDK-T1-GE3 product image
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VISHAY SIB417EDK-T1-GE3

Produttore
VISHAY
Cod. Prod.
SIB417EDK-T1-GE3
Cod. LCSC
C727358
Imballo
PowerPAK-SC-75-6L
Numero Cliente
Attr. chiave
2.4W 8V 9A 350mV 58mΩ@4.5V 1 P-Channel P-Channel PowerPAK-SC-75-6L Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaVISHAY SIB417EDK-T1-GE3
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 0.4693$ 0.47
200+$ 0.1822$ 36.44
500+$ 0.176$ 88.00
1,000+$ 0.1729$ 172.90
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
ImballoPowerPAK-SC-75-6L
Output Capacitance(Coss)215pF
Pd - Power Dissipation2.4W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage8V
Current - Continuous Drain(Id)9A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))350mV
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)138pF
RDS(on)58mΩ@4.5V
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)565pF
Gate Charge(Qg)7.3nC@4.5V
Vgs±5V
TypeP-Channel
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Caratteristiche

Traduzione AI
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21
  • TrenchFET power MOSFET
  • New thermally enhanced PowerPAK SC-75 package
  • Small footprint
  • Low on-resistance
  • 100% gate resistance (Rg) tested
  • Typical ESD protection up to 900 V
  • RoHS compliant per directive 2002/95/EC

Applicazioni

Traduzione AI
  • P-channel MOSFET