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VISHAY SQM120N06-06_GE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SQM120N06-06_GE3 |
| Cod. LCSC | C6818673 |
| Imballo | TO-263(D2PAk) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 60V 120A TO-263(D2PAk) |
| Scheda Tecnica | VISHAY SQM120N06-06_GE3 |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 420pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 6.495nF | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 420pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 6.495nF | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- AEC-Q101 qualified
- 100 % Rg and UIS tested
Disponibile: 640
640 Pronta consegna
Discontinuo
Esaurite le scorte, il prodotto risulterà "Non disponibile".
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.352 | $ 2.35 |
| 10+ | $ 2.2316 | $ 22.32 |
| 30+ | $ 2.1601 | $ 64.80 |
| 100+ | $ 2.0885 | $ 208.85 |
| 500+ | $ 2.056 | $ 1028.00 |
| 800+ | $ 2.0397 | $ 1631.76 |
Package Standard800/Full Reel | ||
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 420pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 6.495nF | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-263(D2PAk) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 708pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 420pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 6.495nF | |
| Gate Charge(Qg) | 145nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- AEC-Q101 qualified
- 100 % Rg and UIS tested
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE80H12D | NCE | TO-263-2L | 69 | $ 1.0528 | ||
| SP60N05GTD | Siliup | TO-263-3L | 2,900 | $ 0.2183 | ||
| SP60N03HTD | Siliup | TO-263 | 153 | $0.3141 $0.4486 | ||
| SPB80N06S2L-11-VB | VBsemi Elec | TO-263(D2PAK) | 5 | $0.9271 $1.0907 | ||
| SP012N03BGHTD | Siliup | TO-263 | 73 | $ 1.4541 | ||
| DOB130N15T | DOINGTER | TO-263 | 467 | $ 0.9669 | ||
| SP015N06GHTD | Siliup | TO-263 | 240 | $ 1.3981 | ||
| NCE82H140D | NCE | TO-263-2L | 1,881 | $ 1.0902 | ||
| IRFS7537PBF | Infineon | D2PAK | 0 | $ 1.0601 | ||
| TMB140N10A | WUXI UNIGROUP MICRO | TO-263 | 0 | $ 0.8091 |