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VISHAY SISS22DN-T1-GE3
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | SISS22DN-T1-GE3 |
| LCSC 번호 | C5900149 |
| 포장 | - |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 60V 3.6V 4mΩ@10V 1 N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | VISHAY SISS22DN-T1-GE3 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A;90.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W;65.7W | |
| RDS(on) | 4mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.87nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A;90.6A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W;65.7W | |
| RDS(on) | 4mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.87nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- 4th generation trench power MOSFET
- Ultra-low RDS(on)-gate charge FOM
- Optimized for lowest RDS(on)-output charge FOM
- 100% tested for gate resistance and unclamped inductive switching
응용 분야
AI 번역
- Synchronous rectification
- Primary-side switching
- DC/DC converters
- Solar micro-inverters
- Motor drive switching
- Battery and load switching
- Industrial applications
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.6548 | $ 1.65 |
| 200+ | $ 0.6607 | $ 132.14 |
| 500+ | $ 0.6395 | $ 319.75 |
| 1,000+ | $ 0.6274 | $ 627.40 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A;90.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W;65.7W | |
| RDS(on) | 4mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.87nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A;90.6A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W;65.7W | |
| RDS(on) | 4mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.87nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- 4th generation trench power MOSFET
- Ultra-low RDS(on)-gate charge FOM
- Optimized for lowest RDS(on)-output charge FOM
- 100% tested for gate resistance and unclamped inductive switching
응용 분야
AI 번역
- Synchronous rectification
- Primary-side switching
- DC/DC converters
- Solar micro-inverters
- Motor drive switching
- Battery and load switching
- Industrial applications
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |