LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
PANJIT PJW3P10A_R2_00001 product image
Zdjęcia poglądowe

PANJIT PJW3P10A_R2_00001

Producent
PANJITAsian Brands
Nr części prod.
PJW3P10A_R2_00001
Nr LCSC
C5828580
Opak.
SOT-223
Numer Klienta
Klucz. cechy
100V 2.6A 3.1W 210mΩ@10V 1 P-Channel SOT-223 Single FETs, MOSFETs RoHS
Karta KatalogowaPANJIT PJW3P10A_R2_00001
Brak w magazynie
Powiadom mnie
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.(Tylko do wglądu)Suma całkowita
1+$ 0.4366$ 0.44
200+$ 0.1743$ 34.86
500+$ 0.1684$ 84.20
1,000+$ 0.1656$ 165.60
Standardowa Obudowa2500/Full Reel
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentPANJIT
Opak.SOT-223
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)2.6A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))-
Pd - Power Dissipation3.1W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)45pF
RDS(on)210mΩ@10V
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)1.419nF
Gate Charge(Qg)20nC@10V
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

Utilizing TrenchMOS technology, this SiliconMAX standard-level N-channel enhancement-mode FET is housed in a plastic package. Designed and qualified for computing, communications, consumer, and industrial applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • RDS(ON) < 210 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2.6 A
  • RDS(ON) < 230 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -1 A
  • Fast switching speed
  • Improved dv/dt capability
  • Low gate charge
  • Low reverse transfer capacitance
  • Lead-free, compliant with EU RoHS 2.0
  • Eco-friendly molding compound compliant with IEC 61249

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • DC-DC Converter
  • Switched-Mode Power Supply