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DIODES DMT10H9M9SH3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DMT10H9M9SH3 |
| Cod. LCSC | C5711751 |
| Imballo | TO-251 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 100V 84A 4V 114W 9mΩ@10V 1 N-channel TO-251 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | DIODES DMT10H9M9SH3 |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
| Parti alternative | 4 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 84A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 114W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.085nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 84A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 114W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.085nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to minimize on-resistance (RDS(ON)) while maintaining excellent switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Lead-free surface finish; RoHS compliant
- Halogen- and antimony-free. "Green" device
Applicazioni
Traduzione AI
- Motor Control
- Backlight
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.6794 | $ 1.68 |
| 225+ | $ 0.6699 | $ 150.73 |
| 525+ | $ 0.6477 | $ 340.04 |
| 975+ | $ 0.6365 | $ 620.59 |
Package Standard75/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 84A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 114W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.085nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 84A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 114W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.085nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to minimize on-resistance (RDS(ON)) while maintaining excellent switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Lead-free surface finish; RoHS compliant
- Halogen- and antimony-free. "Green" device
Applicazioni
Traduzione AI
- Motor Control
- Backlight
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| CMU079N10 | Cmos | TO-251 | 155 | $ 0.4343 | ||
| DMT10H009LH3 | DIODES | TO-251 | 0 | $ 1.3985 | ||
| AUIRFU8403-701TRL | Infineon | TO-251-3 | 0 | $ 0.9829 | ||
| NCEP0178AL | NCE | TO-251S | 0 | $ 0.6169 |