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Modelli EDAEasyEDA
TOSHIBA TPH2900ENH
| Produttore | |
| Cod. Prod. | TPH2900ENH |
| Cod. LCSC | C556320 |
| Imballo | DFN-8-EP(6.1x5.2) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 200V 33A 78W 24mΩ@10V 1 N-channel DFN-8-EP(6.1x5.2) Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | TOSHIBA TPH2900ENH |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | TOSHIBA | |
| Imballo | DFN-8-EP(6.1x5.2) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 78W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 24mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | TOSHIBA | |
| Imballo | DFN-8-EP(6.1x5.2) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 78W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 24mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High-speed switching
- Low gate charge: QSW = 8.2 nC (typical)
- Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 24 mΩ (typical) (VGS = 10 V)
- Low leakage current: IDSS = 10 μA (maximum) (VDS = 200 V)
- Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
Applicazioni
Traduzione AI
- High-efficiency DC-DC converter
- Switching regulator
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.5855 | $ 1.59 |
| 200+ | $ 0.6216 | $ 124.32 |
| 500+ | $ 0.6009 | $ 300.45 |
| 1,000+ | $ 0.5898 | $ 589.80 |
Package Standard5000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | TOSHIBA | |
| Imballo | DFN-8-EP(6.1x5.2) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 78W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 24mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | TOSHIBA | |
| Imballo | DFN-8-EP(6.1x5.2) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 78W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 24mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High-speed switching
- Low gate charge: QSW = 8.2 nC (typical)
- Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 24 mΩ (typical) (VGS = 10 V)
- Low leakage current: IDSS = 10 μA (maximum) (VDS = 200 V)
- Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
Applicazioni
Traduzione AI
- High-efficiency DC-DC converter
- Switching regulator
C556320 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SIR610DP-T1-RE3 | VISHAY | PowerPAK-SO-8 | 3 | $ 2.5085 | ||
| VBGQA1202N | VBsemi Elec | DFN-8(5x6) | 30 | $1.4969 $1.5756 | ||
| BSC320N20NS3G | Infineon | TDSON-8(5x6) | 2,308 | $ 1.7125 | ||
| IRFH5025TRPBF-VB | VBsemi Elec | PDFN-8L(5x6) | 20 | $1.3473 $1.4182 | ||
| FDMS2734-VB | VBsemi Elec | PDFN-8L(5x6) | 5 | $1.3422 $1.4128 | ||
| SIR690DP-T1-GE3 | VISHAY | PowerPAKSO-8 | 0 | $ 3.8748 | ||
| SIR690DP-T1-RE3 | VISHAY | PowerPAKSO-8 | 0 | $ 1.7745 | ||
| VBQA1254N | VBsemi Elec | DFN-8(5x6) | 0 | $ 3.125 | ||
| RJK2555DPA-VB | VBsemi Elec | PDFN-8L(5x6) | 0 | $ 3.1639 | ||
| RJK2557DPA-VB | VBsemi Elec | PDFN-8L(5x6) | 0 | $ 3.1639 |