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Nexperia BCM847BV,315 product image
Abbildung ähnlich

Nexperia BCM847BV,315

Hersteller
Nexperia
Herst.-Teilenr.
BCM847BV,315
LCSC-Nr.
C549557
Verp.
SOT-666-6
Kundennummer
Hauptmerkm.
200 300mW 45V NPN 100mA SOT-666-6 Bipolar Transistor Arrays RoHS
DatenblattNexperia BCM847BV,315
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 0.3809$ 0.38
200+$ 0.1474$ 29.48
500+$ 0.1423$ 71.15
1,000+$ 0.1397$ 139.70
Standardgehäuse8000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
HerstellerNexperia
Verp.SOT-666-6
Current - Collector Cutoff15nA
DC Current Gain200
Pd - Power Dissipation300mW
Collector - Emitter Voltage VCEO45V
Transition frequency(fT)250MHz
Vce Saturation(VCE(sat))200mV
typeNPN
Current - Collector(Ic)100mA
Operating Temperature-
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Beschreibung

KI-Übersetzung

NPN/NPN matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Current gain matching
  • Base-emitter voltage matching
  • Drop-in replacement for standard double transistors

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Current mirror
  • Differential amplifier