LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Anmelden
USD
Infineon FD650R17IE4 product image
Abbildung ähnlich

Infineon FD650R17IE4

Hersteller
Herst.-Teilenr.
FD650R17IE4
LCSC-Nr.
C540900
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
4.15kW 650A 1.7kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
DatenblattInfineon FD650R17IE4
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Nicht vorrätig
Benachrichtigen
Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
Zur BOM-Liste hinzufügen
Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 451.4752$ 451.48
30+$ 429.8702$ 12896.11
Standardgehäuse3/Full Tray
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/IGBT Modules
HerstellerInfineon
Verp.-
Td(off)1us
Pd - Power Dissipation4.15kW
Td(on)550ns
Current - Collector(Ic)650A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)1.7nF
IGBT TypeIGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)5.8V
Gate Charge(Qg)7uC
Vce Saturation(VCE(sat))2.45V
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)140mJ
Turn-On Energy (Eon)205mJ
Operating Temperature-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)54nF
Output Capacitance(Coes)-