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UMW AO6601

Hersteller
UMWAsian Brands
Herst.-Teilenr.
AO6601
LCSC-Nr.
C5375977
Verp.
SOT-23-6
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH+P-CH ARR 30V 3.4A SOT-23-6
DatenblattUMW AO6601
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Vorrätig: 7,295
7,295 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 5Vielfaches: 5Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
5+$ 0.0689$ 0.34
50+$ 0.0602$ 3.01
150+$ 0.0558$ 8.37
500+$ 0.0526$ 26.30
3,000+$ 0.05$ 150.00
6,000+$ 0.0487$ 292.20
Standardgehäuse3000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerUMW
Verp.SOT-23-6
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)35pF;37pF
Current - Continuous Drain(Id)3.4A;2.3A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Pd - Power Dissipation1.15W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)18pF;20pF
RDS(on)46mΩ@10V;88mΩ@10V
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)235pF;260pF
Gate Charge(Qg)10nC@10V;5.9nC@10V
TypeN-Channel + P-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

The AO6601 utilizes advanced trench technology to deliver excellent RDS(ON) and low gate charge. Complementary MOSFETs form high-speed power inverters suitable for a wide range of applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • VDS(V) = -30 V
  • ID = -2.3 A (VGS = -10 V)
  • RDS(ON) < 115 mΩ (VGS = -10 V)
  • VDS(V) = 30 V, ID = 3.4 A (VGS = 10 V)
  • RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = 10 V)
  • RDS(ON) < 70 mΩ (VGS = 4.5 V)
  • RDS(ON) < 90 mΩ (VGS = 2.5 V)
  • RDS(ON) < 150 mΩ (VGS = -4.5 V)
  • RDS(ON) < 200 mΩ (VGS = -2.5 V)