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Infineon FS35R12W1T7_B11 product image
Immagini a scopo illustrativo

Infineon FS35R12W1T7_B11

Produttore
Infineon
Cod. Prod.
FS35R12W1T7_B11
Cod. LCSC
C535497
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
35A 1.2kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
Scheda TecnicaInfineon FS35R12W1T7_B11
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 59.3874$ 59.39
192+$ 22.9835$ 4412.83
504+$ 22.1745$ 11175.95
1,008+$ 21.7763$ 21950.51
Package Standard24/Full Tray
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/IGBT Modules
ProduttoreInfineon
Imballo-
Pd - Power Dissipation-
Td(off)260ns;320ns;340ns
Td(on)37ns;43ns;44ns
Current - Collector(Ic)35A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)23pF
IGBT TypeIGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
Gate Charge(Qg)548nC@600V
Vce Saturation(VCE(sat))1.6V;1.74V;1.82V
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)2.39mJ;3.73mJ;4.56mJ
Turn-On Energy (Eon)2.62mJ;3.74mJ;4.45mJ
Operating Temperature-40℃~+175℃
Input Capacitance(Cies)6.62nF
Output Capacitance(Coes)-
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