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Tokmas IRFP250MPBF
| Produttore | TokmasAsian Brands |
| Cod. Prod. | IRFP250MPBF |
| Cod. LCSC | C5337980 |
| Imballo | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 170W 200V 30A 2V 70mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-247-3 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Tokmas IRFP250MPBF |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tokmas | |
| Imballo | TO-247-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 70mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tokmas | |
| Imballo | TO-247-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 70mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using advanced trench technology, achieving low on-resistance (RDS(on)) and optimized drain-source breakdown voltage (BVDSS) capability, delivering superior performance advantages in applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Fast switching
- Low on-resistance (Rdson ≤ 85 mΩ)
- Low gate charge (typical: 38nC)
- Low reverse transfer capacitance
- 100% single pulse avalanche energy tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Power switching circuits for adapters and chargers
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.8738 | $ 0.87 |
| 10+ | $ 0.7039 | $ 7.04 |
| 30+ | $ 0.619 | $ 18.57 |
| 90+ | $ 0.5357 | $ 48.21 |
| 510+ | $ 0.4851 | $ 247.40 |
| 1,020+ | $ 0.459 | $ 468.18 |
Package Standard30/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tokmas | |
| Imballo | TO-247-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 70mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tokmas | |
| Imballo | TO-247-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 70mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using advanced trench technology, achieving low on-resistance (RDS(on)) and optimized drain-source breakdown voltage (BVDSS) capability, delivering superior performance advantages in applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Fast switching
- Low on-resistance (Rdson ≤ 85 mΩ)
- Low gate charge (typical: 38nC)
- Low reverse transfer capacitance
- 100% single pulse avalanche energy tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Power switching circuits for adapters and chargers
C5337980 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| CI47N65D4 | Tokmas | TO-247 | 867 | $ 2.5398 | ||
| SPW47N60CS(TOKMAS) | Tokmas | TO-247 | 84 | $ 2.2144 | ||
| CI72N65 | Tokmas | TO-247-3 | 93 | $2.1344 $3.0491 | ||
| IPW65R041CFD(TOKMAS) | Tokmas | TO-247 | 476 | $2.8833 $3.134 | ||
| IRFP4668PBF(TOKMAS) | Tokmas | TO-247 | 1,785 | $1.1539 $1.2821 |