KEXIN 2KJ7107DFN
| Produttore | KEXINAsian Brands |
| Cod. Prod. | 2KJ7107DFN |
| Cod. LCSC | C499622 |
| Imballo | DFN2X2-6L |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 20V 6A DFN2X2-6L |
| Scheda Tecnica | KEXIN 2KJ7107DFN |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | KEXIN | |
| Imballo | DFN2X2-6L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 515mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 66pF | |
| RDS(on) | 65mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 804pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | KEXIN | |
| Imballo | DFN2X2-6L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 515mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 66pF | |
| RDS(on) | 65mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 804pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- VDS (V) = -20V
- lD = -6.0A
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ≥kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection
Disponibile: 1,520
1,520 Pronta consegna
Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0692 | $ 0.69 |
| 100+ | $ 0.0547 | $ 5.47 |
| 300+ | $ 0.0475 | $ 14.25 |
| 3,000+ | $ 0.042 | $ 126.00 |
| 6,000+ | $ 0.0377 | $ 226.20 |
| 9,000+ | $ 0.0355 | $ 319.50 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | KEXIN | |
| Imballo | DFN2X2-6L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 515mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 66pF | |
| RDS(on) | 65mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 804pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | KEXIN | |
| Imballo | DFN2X2-6L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 515mW | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 66pF | |
| RDS(on) | 65mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 804pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- VDS (V) = -20V
- lD = -6.0A
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ≥kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection
C499622 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



