- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
Nexperia PMZB350UPE,315
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PMZB350UPE,315 |
| Cod. LCSC | C478140 |
| Imballo | X1-DFN1006-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 20V X1-DFN1006-3 |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMZB350UPE,315 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | X1-DFN1006-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.4A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 450mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | X1-DFN1006-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.4A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 450mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 1.8 kV ESD protected
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
Disponibile: 20
20 Pronta consegna
Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0613 | $ 0.61 |
| 100+ | $ 0.0486 | $ 4.86 |
| 300+ | $ 0.0422 | $ 12.66 |
| 1,000+ | $ 0.0375 | $ 37.50 |
| 5,000+ | $ 0.0337 | $ 168.50 |
| 10,000+ | $ 0.0318 | $ 318.00 |
Package Standard10000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | X1-DFN1006-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.4A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 450mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | X1-DFN1006-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.4A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 450mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 1.8 kV ESD protected
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
C478140 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMZ350UPEYL | Nexperia | X1-DFN1006-3 | 7,270 | $ 0.1954 | ||
| SP2231NC | Siliup | PDFN1006-3L | 11,400 | $0.0128 $0.0182 | ||
| HSBG2301 | HUASHUO | DFN1006-3 | 8,960 | $ 0.0581 | ||
| LP137N3T5G | LRC | SOT-883-3 | 9,975 | $ 0.1356 | ||
| RV2C014BCT2CL | ROHM | DFN1006-3 | 11,485 | $ 0.1373 | ||
| DMP2078LCA3-7 | DIODES | X4-DSN1006-3 | 232 | $ 0.6277 | ||
| DMP2079LCA3-7 | DIODES | X4-DSN1006-3 | 507 | $ 0.6933 | ||
| SLMN320V2CP | Slkor | DFN1006-3L | 9,960 | $ 0.0259 | ||
| DMP2077UCA3-7 | DIODES | X4-DSN1006-3 | 0 | $ 0.7636 | ||
| SSM3J56ACT,L3F | TOSHIBA | SOT-883-3 | 0 | $ 0.1888 |