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Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDMC8462
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDMC8462 |
| Cod. LCSC | C463950 |
| Imballo | Power-33-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 40V 20A 1V 41W 5.8mΩ@10V 1 N-channel Power-33-8 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMC8462 |
| Conformità RoHS | 4 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power-33-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 120pF | |
| RDS(on) | 5.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.66nF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power-33-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 120pF | |
| RDS(on) | 5.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.66nF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process, which has been specially optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Maximum r<sub>DS(on)</sub> = 5.8 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V, I<sub>D</sub> = 13.5 A
- Maximum r<sub>DS(on)</sub> = 8.0 mΩ at V<sub>GS</sub> = 4.5 V, I<sub>D</sub> = 11.8 A
- Low profile — Power 33 package maximum height 1 mm
- 100% UI1L tested
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC conversion
- Power 33 package application
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5757 | $ 0.58 |
| 10+ | $ 0.5634 | $ 5.63 |
| 30+ | $ 0.5542 | $ 16.63 |
| 100+ | $ 0.5465 | $ 54.65 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power-33-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 120pF | |
| RDS(on) | 5.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.66nF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | Power-33-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 120pF | |
| RDS(on) | 5.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.66nF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process, which has been specially optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Maximum r<sub>DS(on)</sub> = 5.8 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V, I<sub>D</sub> = 13.5 A
- Maximum r<sub>DS(on)</sub> = 8.0 mΩ at V<sub>GS</sub> = 4.5 V, I<sub>D</sub> = 11.8 A
- Low profile — Power 33 package maximum height 1 mm
- 100% UI1L tested
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC conversion
- Power 33 package application
C463950 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| DOZ35N06 | DOINGTER | DFN3x3-8 | 13,955 | $ 0.1273 | ||
| ZE015NG | DOINGTER | DFN-8(3x3) | 5,180 | $ 0.1258 | ||
| HSBB4072 | HUASHUO | PRPAK3x3-8L | 2,987 | $ 0.4625 | ||
| MOT6511J | MOT | PDFN3x3-8L | 780 | $ 0.2023 | ||
| MOT4513J | MOT | PDFN3x3-8L | 25 | $0.1349 $0.1498 | ||
| PJM50N60DL | PJSEMI | PDFN-8L(3x3) | 295 | $ 0.2281 | ||
| TW40N06CC | TWGMC | PDFN-8(3x3) | 915 | $ 0.1561 | ||
| TPPXN012-60QLJ | TECH PUBLIC | PDFN-8(3x3) | 6,865 | $ 0.2513 | ||
| TPM6038ND8 | TECH PUBLIC | DFN-8(3x3) | 1,127 | $ 0.3011 | ||
| HSBB4016 | HUASHUO | PRPAK3x3-8L | 0 | $ 0.1826 |