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EDA 모델EasyEDA
VBsemi Elec NTMS4P01R2G-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | NTMS4P01R2G-VB |
| LCSC 번호 | C41370360 |
| 포장 | SO-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 12V 16A 1V 3W 5mΩ@4.5V 1 P-Channel P-Channel SO-8 Single FETs, MOSFETs |
| 데이터시트 | VBsemi Elec NTMS4P01R2G-VB |
| 대체 부품 | 10 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| RDS(on) | 5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 165nC@5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| RDS(on) | 5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 165nC@5V | |
| Type | P-Channel |
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주요 특징
AI 번역
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
- Trench power MOSFET
- RoHS compliant per directive 2002/95/EC
응용 분야
AI 번역
- Load Switch - Battery Switch
품절
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5023 | $ 0.50 |
| 200+ | $ 0.2003 | $ 40.06 |
| 500+ | $ 0.194 | $ 97.00 |
| 1,000+ | $ 0.1908 | $ 190.80 |
표준 패키지4000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| RDS(on) | 5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 165nC@5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| RDS(on) | 5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 165nC@5V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
- Trench power MOSFET
- RoHS compliant per directive 2002/95/EC
응용 분야
AI 번역
- Load Switch - Battery Switch
C41370360 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4453-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 415 | $0.6766 $0.7122 | ||
| 2SJ419-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 20 | $0.3258 $0.3832 | ||
| IRF7433TRPBF-VB | VBsemi Elec | SOP-8 | 18 | $0.4561 $0.4801 | ||
| ME4413D-VB | VBsemi Elec | SOP-8 | 16 | $0.3651 $0.3843 | ||
| IRF7210TRPBF-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 97 | $ 0.4982 | ||
| TPS1100DRG4-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 66 | $ 0.4443 | ||
| IRF7233TRPBF-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 0 | $ 0.5023 | ||
| ELM14437AA-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 0 | $ 0.5023 | ||
| HM4437-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 0 | $ 0.5023 | ||
| PHP1025-VB | VBsemi Elec | SO-8 | 0 | $ 0.5023 |