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Nexperia PMPB10XNX
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PMPB10XNX |
| Cod. LCSC | C3277705 |
| Imballo | DFN2020MD-6 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 30V 13.5A 900mV 1.9W 13mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel DFN2020MD-6 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMPB10XNX |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN2020MD-6 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 137pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.9W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 119pF | |
| RDS(on) | 13mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.761nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN2020MD-6 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 137pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.9W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 119pF | |
| RDS(on) | 13mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.761nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
N-channel enhancement-mode FET using trench MOSFET technology, housed in a leadless medium-power DFN2020MD-6 (SOT1220) SMD plastic package.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-fast switching speed
- Low threshold voltage
- Trench MOSFET technology
- Solderable side-wettable flanks for optical solder inspection
- Exposed drain pad for excellent thermal dissipation
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver - High-speed line driver - Low-side load switch - Switching circuit
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.7636 | $ 0.76 |
| 10+ | $ 0.6775 | $ 6.78 |
| 30+ | $ 0.6402 | $ 19.21 |
| 100+ | $ 0.593 | $ 59.30 |
| 500+ | $ 0.5735 | $ 286.75 |
| 1,000+ | $ 0.5605 | $ 560.50 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN2020MD-6 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 137pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.9W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 119pF | |
| RDS(on) | 13mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.761nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN2020MD-6 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 137pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.9W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 119pF | |
| RDS(on) | 13mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.761nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
N-channel enhancement-mode FET using trench MOSFET technology, housed in a leadless medium-power DFN2020MD-6 (SOT1220) SMD plastic package.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-fast switching speed
- Low threshold voltage
- Trench MOSFET technology
- Solderable side-wettable flanks for optical solder inspection
- Exposed drain pad for excellent thermal dissipation
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver - High-speed line driver - Low-side load switch - Switching circuit
C3277705 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3020UFDF-7 | DIODES | UDFN2020-6 | 1,768 | $ 0.736 | ||
| PMPB55ENEAX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 10 | $0.3611 $0.3801 | ||
| PMPB85ENEAX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 10 | $0.3611 $0.3801 | ||
| BUK6D210-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 10 | $0.3611 $0.3801 | ||
| BUK6D125-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 10 | $0.3611 $0.3801 | ||
| PMPB40ENAX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 10 | $0.3579 $0.3767 | ||
| BUK6D77-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 5 | $0.3577 $0.3765 | ||
| BUK6D56-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 5 | $0.3593 $0.3782 | ||
| PMPB07R3ENX | Nexperia | DFN2020M-6 | 0 | $ 2.3086 | ||
| BUK7D36-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 0 | $0.4080 $0.4294 |