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Modelli EDAEasyEDA
onsemi 2N5088
| Produttore | |
| Cod. Prod. | 2N5088 |
| Cod. LCSC | C3201668 |
| Imballo | TO-92-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 30V 350 50mA 1 NPN NPN TO-92-3 Single Bipolar Transistors |
| Scheda Tecnica | onsemi 2N5088 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 3V | |
| DC Current Gain | 350 | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Current - Collector(Ic) | 50mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 3V | |
| DC Current Gain | 350 | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Current - Collector(Ic) | 50mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 3V | |
| DC Current Gain | 350 | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Current - Collector(Ic) | 50mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 3V | |
| DC Current Gain | 350 | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Current - Collector(Ic) | 50mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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C3201668 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |