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VISHAY SI4463CDY-T1-GE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SI4463CDY-T1-GE3 |
| Cod. LCSC | C222472 |
| Imballo | SOIC-8-150mil |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 20W 20V 18.6A 1.4V 14mΩ@2.5V 1 P-Channel P-Channel SOIC-8-150mil Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI4463CDY-T1-GE3 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOIC-8-150mil | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 830pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.25nF | |
| Gate Charge(Qg) | 81nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOIC-8-150mil | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18.6A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 830pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.25nF | |
| Gate Charge(Qg) | 81nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Compliant with halogen-free requirements as defined by IEC 61249-2-21
- TrenchFET power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) tested
- 100% unclamped inductive switching (UIS) tested
- Compliant with RoHS Directive 2002/95/EC
Applicazioni
Traduzione AI
- Adapter switches - High-current load switches - Laptops
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5496 | $ 0.55 |
| 10+ | $ 0.4434 | $ 4.43 |
| 30+ | $ 0.3987 | $ 11.96 |
| 100+ | $ 0.3418 | $ 34.18 |
| 500+ | $ 0.3171 | $ 158.55 |
| 1,000+ | $ 0.3018 | $ 301.80 |
| 2,500+ | $ 0.2987 | $ 746.75 |
| 5,000+ | $ 0.2971 | $ 1485.50 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOIC-8-150mil | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 830pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.25nF | |
| Gate Charge(Qg) | 81nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOIC-8-150mil | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18.6A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 830pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.25nF | |
| Gate Charge(Qg) | 81nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Compliant with halogen-free requirements as defined by IEC 61249-2-21
- TrenchFET power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) tested
- 100% unclamped inductive switching (UIS) tested
- Compliant with RoHS Directive 2002/95/EC
Applicazioni
Traduzione AI
- Adapter switches - High-current load switches - Laptops
C222472 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SP20P08P8 | Siliup | SOP-8L | 4,895 | $0.0430 $0.0613 | ||
| TPM2013PLS8 | TECH PUBLIC | SOP-8 | 480 | $ 0.5605 | ||
| SI4491EDY-T1-GE3 | VISHAY | SO-8 | 11 | $ 1.0654 | ||
| XR20P04S | XNRUSEMI | SOP-8 | 2,890 | $0.1775 $0.1868 | ||
| IRF7404PBF-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 425 | $0.1206 $0.1269 | ||
| IRF7420TRPBF-HXY | HXY MOSFET | SOP-8 | 90 | $ 0.3122 | ||
| AO4437 | HXY MOSFET | SOP-8 | 10 | $0.3124 $0.3288 | ||
| NCE30P25S | NCE | SOP-8 | 1,546 | $ 0.8579 | ||
| SI4477DY-T1-GE3 | VISHAY | SOIC-8 | 0 | $ 1.2136 | ||
| X21305IA | XYD | SOP-8L | 0 | $ 0.5301 |