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Wayon WML30N65EM product image
Abbildung ähnlich

Wayon WML30N65EM

Hersteller
WayonAsian Brands
Herst.-Teilenr.
WML30N65EM
LCSC-Nr.
C21726232
Verp.
TO-220F
Kundennummer
Hauptmerkm.
650V 27A 4V 34W 160mΩ@10V N-Channel TO-220F Single FETs, MOSFETs
DatenblattWayon WML30N65EM
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 1.6619$ 1.66
10+$ 1.4161$ 14.16
50+$ 1.262$ 63.10
100+$ 1.103$ 110.30
500+$ 1.0309$ 515.45
1,000+$ 0.9998$ 999.80
Standardgehäuse50/Full Tube
Besserer Preis bei größerer Menge?
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerWayon
Verp.TO-220F
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage650V
Current - Continuous Drain(Id)27A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation34W
RDS(on)160mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)1.91nF
Gate Charge(Qg)18nC@10V
TypeN-Channel

Beschreibung

KI-Übersetzung

WMOST™ EM is a third-generation super-junction MOSFET series utilizing charge balance technology, featuring ultra-low on-resistance and low gate charge performance. WMOST™ EM is designed for applications with extremely high demands on power density and efficiency.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • VDS = 700 V at Tj,max
  • Typical RDS(on) = 0.135 Ω
  • 100% tested for unclamped inductive switching (UIS)
  • Lead-free plating, halogen-free

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • LED lighting
  • Chargers
  • Adapters
  • Personal computers
  • LCD TVs
  • Servers