- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDY3000NZ
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDY3000NZ |
| Cod. LCSC | C188499 |
| Imballo | SOT-563 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH ARR 20V 600mA SOT-563 |
| Scheda Tecnica | onsemi FDY3000NZ |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 700mΩ@4.5V;850mΩ@2.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 800pC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 700mΩ@4.5V;850mΩ@2.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 800pC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This dual N-channel MOSFET is designed using an advanced power trench process, optimized for performance at RDS(ON)@VGS = 2.5V.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 600 mA, 20 V, R DS(ON) = 700 mΩ @ V GS = 4.5 V
- R DS(ON) = 850 mΩ @ V GS = 2.5 V
- ESD protection diode
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Lithium-ion battery pack
Disponibile: 1
1 Pronta consegna
Discontinuo
Esaurite le scorte, il prodotto risulterà "Non disponibile".
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5217 | $ 0.52 |
| 10+ | $ 0.418 | $ 4.18 |
| 30+ | $ 0.3733 | $ 11.20 |
| 100+ | $ 0.3159 | $ 31.59 |
| 500+ | $ 0.292 | $ 146.00 |
| 1,000+ | $ 0.2776 | $ 277.60 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 700mΩ@4.5V;850mΩ@2.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 800pC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| RDS(on) | 700mΩ@4.5V;850mΩ@2.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 800pC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This dual N-channel MOSFET is designed using an advanced power trench process, optimized for performance at RDS(ON)@VGS = 2.5V.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 600 mA, 20 V, R DS(ON) = 700 mΩ @ V GS = 4.5 V
- R DS(ON) = 850 mΩ @ V GS = 2.5 V
- ESD protection diode
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Lithium-ion battery pack
C188499 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| HSSX2204 | HUASHUO | SOT-563 | 520 | $ 0.1034 | ||
| SIX3134KA-TP | MCC | SOT-563 | 3,010 | $ 0.0873 | ||
| EM6K6T2R-TP | TECH PUBLIC | SOT-563 | 2,710 | $0.0970 $0.1021 | ||
| TPM20NB1EX6 | TECH PUBLIC | SOT-563 | 2,875 | $0.0881 $0.0927 | ||
| TPM20NB1EX6-1 | TECH PUBLIC | SOT-563 | 2,650 | $0.1237 $0.1302 | ||
| DMG1024UV-7 | DIODES | SOT-563 | 4,298 | $ 0.8375 | ||
| SSM6N56FE,LM | TOSHIBA | SOT-563(SOT-666) | 6,995 | $ 0.1876 | ||
| Si1034CX-T1-GE3-VB | VBsemi Elec | SC-89-6 | 190 | $0.1532 $0.1802 | ||
| SP2002KDTL | Siliup | SOT-563 | 2,980 | $0.0272 $0.0339 | ||
| DMG1024UV-TP | TECH PUBLIC | SOT-563 | 0 | $0.0724 $0.0762 |