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NTE Electronics 2N3714 product image
Abbildung ähnlich

NTE Electronics 2N3714

Hersteller
NTE Electronics
Herst.-Teilenr.
2N3714
LCSC-Nr.
C7175461
Verp.
TO-3
Kundennummer
Hauptmerkm.
80V 25 10A NPN TO-3 Single Bipolar Transistors RoHS
DatenblattNTE Electronics 2N3714
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 3.9446$ 3.94
200+$ 1.5746$ 314.92
500+$ 1.5215$ 760.75
1,000+$ 1.4958$ 1495.80
Standardgehäuse1/Full Bag
Besserer Preis bei größerer Menge?
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
HerstellerNTE Electronics
Verp.TO-3
Current - Collector Cutoff1mA
Operating Temperature-65℃~+200℃
Transition frequency(fT)4MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO80V
DC Current Gain25
Current - Collector(Ic)10A
Pd - Power Dissipation150W
typeNPN
Vce Saturation(VCE(sat))1V
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Beschreibung

KI-Übersetzung

2N3714 is a silicon NPN transistor in a TO-3 package, designed for medium-speed switching and amplifier applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Gain range specified at 1A and 3A
  • Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.5V (typical) at IC = 5A, IB = 500mA
  • Excellent safe operating area