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EDA 모델EasyEDA
ROHM 2SD2114KT146W
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | 2SD2114KT146W |
| LCSC 번호 | C703602 |
| 포장 | SC-59 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | TRANS NPN 20V 0.5A SC-59 |
| 데이터시트 | ROHM 2SD2114KT146W |
| RoHS 준수 | 2개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 1 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | ROHM | |
| 포장 | SC-59 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 350MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 20V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 12V | |
| DC Current Gain | 820 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | ROHM | |
| 포장 | SC-59 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 350MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 12V | |
| DC Current Gain | 820 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.)
- High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.)
- Low VCE (sat). VCE :(sat)=0.18V (Typ.) (lc / IB = 500mA/20mA)
- Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
재고 있음: 2,780
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최소값: 10배수: 10판매 단위: Piece
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0498 | $ 0.50 |
| 100+ | $ 0.0389 | $ 3.89 |
| 300+ | $ 0.0335 | $ 10.05 |
| 3,000+ | $ 0.0294 | $ 88.20 |
| 6,000+ | $ 0.0262 | $ 157.20 |
| 9,000+ | $ 0.0245 | $ 220.50 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | ROHM | |
| 포장 | SC-59 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 350MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 20V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 12V | |
| DC Current Gain | 820 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | ROHM | |
| 포장 | SC-59 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 350MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 12V | |
| DC Current Gain | 820 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.)
- High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.)
- Low VCE (sat). VCE :(sat)=0.18V (Typ.) (lc / IB = 500mA/20mA)
- Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
C703602 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2114KT146V | ROHM | TO-236-3(SOT-23-3) | 1,080 | $ 0.0618 |