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VISHAY SI7720DN-T1-GE3 product image
Immagini a scopo illustrativo

VISHAY SI7720DN-T1-GE3

Produttore
VISHAY
Cod. Prod.
SI7720DN-T1-GE3
Cod. LCSC
C7363371
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
30V 12A 1.2V 12.5mΩ@10V 1 N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaVISHAY SI7720DN-T1-GE3
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 2.1186$ 2.12
200+$ 0.8456$ 169.12
500+$ 0.8169$ 408.45
1,000+$ 0.8032$ 803.20
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
Imballo-
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-50℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)12A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.2V
Pd - Power Dissipation3.8W;52W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)130pF
RDS(on)12.5mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)1.79nF
Gate Charge(Qg)45nC@10V
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Descrizione

Traduzione AI

N-Channel 30V (Drain-to-Source) MOSFET with Schottky Diode

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Halogen-free
  • SkyFET™ monolithic TrenchFET® power MOSFET and Schottky diode
  • Low thermal resistance, compact PowerPAK® package with only 1.07mm thickness
  • 100% gate resistance (Rg) tested
  • 100% unclamped inductive switching (UIS) tested

Applicazioni

Traduzione AI
  • Notebook computers
  • System power supplies
  • Buck converters
  • Synchronous rectification