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VISHAY SI7726DN-T1-GE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SI7726DN-T1-GE3 |
| Cod. LCSC | C727602 |
| Imballo | PowerPAK1212-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 30V 35A 1.4V 3.8W 9.5mΩ@10V 1 N-channel PowerPAK1212-8 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI7726DN-T1-GE3 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAK1212-8 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.765nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAK1212-8 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.765nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free
- SkyFET monolithic trench FET power MOSFET and Schottky diode
- Low thermal resistance PowerPAK package, compact size with height of only 1.07 mm
- 100% gate resistance (Rg) tested
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-to-DC (DC/DC) converters
- Notebook computers
- Point-of-load (POL)
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4512 | $ 0.45 |
| 200+ | $ 0.1747 | $ 34.94 |
| 500+ | $ 0.1685 | $ 84.25 |
| 1,000+ | $ 0.1655 | $ 165.50 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAK1212-8 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.765nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAK1212-8 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.765nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free
- SkyFET monolithic trench FET power MOSFET and Schottky diode
- Low thermal resistance PowerPAK package, compact size with height of only 1.07 mm
- 100% gate resistance (Rg) tested
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-to-DC (DC/DC) converters
- Notebook computers
- Point-of-load (POL)
C727602 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7114ADN-T1-GE3 | VISHAY | PowerPAK1212-8 | 7 | $ 1.9496 | ||
| DMTH69M8LFVWQ-7 | DIODES | PowerDI3333-8 | 101 | $ 1.2062 | ||
| SIS890DN-T1-GE3 | VISHAY | PowerPAK1212-8 | 102 | $ 1.8127 | ||
| SIS434DN-T1-GE3 | VISHAY | PowerPAK1212-8 | 1,429 | $ 1.4264 | ||
| AGM306AP | AGMSEMI | PDFN-8(3.3x3.3) | 2,910 | $ 0.148 | ||
| SISH402DN-T1-GE3 | VISHAY | PowerPAK1212-8SH | 3,000 | $ 1.3881 | ||
| SP40N06NJ | Siliup | PDFNWB-8L(3.3x3.3) | 80 | $0.1351 $0.1688 | ||
| LWN4009AD3 | Lewa Micro | PDFN-8L(3.3x3.3) | 4,910 | $ 0.2226 | ||
| WCL072N06DR-8/TR | WILLSEMI | PDFN-8L(3.3x3.3) | 0 | $ 1.3184 | ||
| SIS444DN-T1-GE3 | VISHAY | PowerPAK1212-8 | 0 | $ 0.3987 |