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RENESAS RJK2075DPA-00#J5A
| Produttore | |
| Cod. Prod. | RJK2075DPA-00#J5A |
| Cod. LCSC | C7049568 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 200V 20A 2.5V 65W 69mΩ@10V 1 N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | RENESAS RJK2075DPA-00#J5A |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| RDS(on) | 69mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| RDS(on) | 69mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Typical R<sub>DS(ON)</sub> = 0.054Ω (at I<sub>D</sub> = 10A, V<sub>GS</sub> = 10V, Ta = 25°C)
- Low leakage current
- High-speed switching
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.4552 | $ 3.46 |
| 200+ | $ 1.3791 | $ 275.82 |
| 500+ | $ 1.3336 | $ 666.80 |
| 1,000+ | $ 1.3109 | $ 1310.90 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| RDS(on) | 69mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| RDS(on) | 69mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Typical R<sub>DS(ON)</sub> = 0.054Ω (at I<sub>D</sub> = 10A, V<sub>GS</sub> = 10V, Ta = 25°C)
- Low leakage current
- High-speed switching
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VBGQA1208N | VBsemi Elec | DFN-8(5x6) | 0 | $ 2.0892 |