MICROCHIP JANSG2N2222AUB
| Produttore | |
| Cod. Prod. | JANSG2N2222AUB |
| Cod. LCSC | C6578686 |
| Imballo | SMD-3P |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 50V 100 800mA NPN SMD-3P Single Bipolar Transistors |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JANSG2N2222AUB |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | SMD-3P | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Current - Collector(Ic) | 800mA | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | SMD-3P | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Current - Collector(Ic) | 800mA | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Qualified to MIL-PRF-19500/255
- Linear derating at 3.08 mW/°C for ambient temperature TA > +37.5°C
- Linear derating at 4.76 mW/°C for ambient temperature TA > +63.5°C
- Available in various radiation hardness levels, e.g., JANSM-3K Rads (Si), JANSD-10K Rads (Si)
- Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0%
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 419.3043 | $ 419.30 |
| 200+ | $ 167.3059 | $ 33461.18 |
| 500+ | $ 161.7152 | $ 80857.60 |
| 1,000+ | $ 158.9524 | $ 158952.40 |
Package Standard50/Full Bag | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | SMD-3P | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Current - Collector(Ic) | 800mA | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | MICROCHIP | |
| Imballo | SMD-3P | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Current - Collector(Ic) | 800mA | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Qualified to MIL-PRF-19500/255
- Linear derating at 3.08 mW/°C for ambient temperature TA > +37.5°C
- Linear derating at 4.76 mW/°C for ambient temperature TA > +63.5°C
- Available in various radiation hardness levels, e.g., JANSM-3K Rads (Si), JANSD-10K Rads (Si)
- Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0%
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |

