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Infineon BSM150GB120DN2 product image
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Infineon BSM150GB120DN2

Produttore
Infineon
Cod. Prod.
BSM150GB120DN2
Cod. LCSC
C534477
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
1.25kW 210A 1.2kV Single IGBTs
Scheda TecnicaInfineon BSM150GB120DN2
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 414.201$ 414.20
200+$ 160.2909$ 32058.18
500+$ 154.6573$ 77328.65
1,000+$ 151.8744$ 151874.40
Package Standard10/Full Tray
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
ProduttoreInfineon
Imballo-
Pd - Power Dissipation1.25kW
Td(off)800ns
Td(on)400ns
Current - Collector(Ic)210A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)600pF
IGBT Type-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)6.5V
Operating Temperature-
Vce Saturation(VCE(sat))3V
Collector Cut-Off Current (Ices)-
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)-
Turn-On Energy (Eon)-
Input Capacitance(Cies)11nF
Gate Charge(Qg)-
Output Capacitance(Coes)1.6nF
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