LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Anmelden
USD
NCE NCE1502R product image
  • NCE1502R thumbnail 1
  • NCE1502R thumbnail 2
  • NCE1502R thumbnail 3
  • Pinbelegung
  • Footprint
Abbildung ähnlich

NCE NCE1502R

Hersteller
NCEAsian Brands
Herst.-Teilenr.
NCE1502R
LCSC-Nr.
C502844
Verp.
SOT-223-3L
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223-3L
DatenblattNCE NCE1502R
Vorrätig: 300
300 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 5Vielfaches: 5Verkaufseinheit: Piece
Zur BOM-Liste hinzufügen
Stk.E-PreisGesamtbetrag
5+$ 0.167$ 0.84
50+$ 0.1284$ 6.42
150+$ 0.1119$ 16.79
500+$ 0.0913$ 45.65
2,500+$ 0.0821$ 205.25
5,000+$ 0.0766$ 383.00
Standardgehäuse2500/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerNCE
Verp.SOT-223-3L
Output Capacitance(Coss)36pF
Pd - Power Dissipation2W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage150V
Current - Continuous Drain(Id)2A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)20pF
RDS(on)300mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)235pF
Gate Charge(Qg)8nC@75V
Vgs±20V
TypeN-Channel

Beschreibung

KI-Übersetzung

The NCE1502R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • High density cell design for ultra low Rdson
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Excellent package for good heat dissipation

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Power switching application
  • Hard switched and high frequency circuits