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R+O HB06N750S

Produttore
R+OAsian Brands
Cod. Prod.
HB06N750S
Cod. LCSC
C49423980
Imballo
TO-252
Numero Cliente
Attr. chiave
60V 12A 2V 16.6W 75mΩ@10V 1 N-channel TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaR+O HB06N750S
Conformità RoHS2 documenti disponibili
Parti alternative7
Esaurito
Avvisami
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
5+$ 0.3487$ 1.74
50+$ 0.2896$ 14.48
150+$ 0.2642$ 39.63
500+$ 0.2326$ 116.30
2,500+$ 0.2185$ 546.25
5,000+$ 0.2101$ 1050.50
Package Standard2500/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreR+O
ImballoTO-252
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)12A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Pd - Power Dissipation16.6W
RDS(on)75mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)25pF
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)384pF
Gate Charge(Qg)8.7nC@10V

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Drain-source voltage (VDS) = 60 V
  • Drain current (ID) = 12 A
  • On-resistance (RDS(on)) < 75 mΩ at VGS = 10 V
  • On-resistance (RDS(on)) < 90 mΩ at VGS = 4.5 V
  • Avalanche energy tested
  • Fast switching speed
  • Improved dv/dt capability with high ruggedness

Applicazioni

Traduzione AI
  • Power switching applications
  • Load switching
  • Power management

Parti alternative

MPNProduttoreImballaggioDisponibilitàPrezzo unitario
HB10N850SR+OTO-2523,730$ 0.1597
HB10N085SGR+OTO-25212,927$ 0.5654
HB06N040SGR+OTO-2525,166$ 0.9079
HB06N330SR+OTO-2523,860$ 0.1477
HB10N200SR+OTO-25292,815$ 0.2598
HB06N047SGR+OTO-2520$ 0.613
HB06N150SR+OTO-2520$ 0.3323