- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
AGMSEMI AGM12T08D
| Produttore | AGMSEMIAsian Brands |
| Cod. Prod. | AGM12T08D |
| Cod. LCSC | C41349461 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 120V 71A TO-252 |
| Scheda Tecnica | AGMSEMI AGM12T08D |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | AGMSEMI | |
| Imballo | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 661pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 71A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 11mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.036nF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | AGMSEMI | |
| Imballo | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 661pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 71A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 11mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.036nF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
The AGM12T08D combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Advance high cell density Trench technology
- Low RDS(ON) to minimize conductive loss
- Low Gate Charge for fast switching
- Low Thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- 100% DVDS tested
Applicazioni
Traduzione AI
- MB/VGA Vcore
- SMPS 2nd Synchronous Rectifier
- POL application
- BLDC Motor driver
Disponibile: 59
59 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5923 | $ 0.59 |
| 10+ | $ 0.4736 | $ 4.74 |
| 30+ | $ 0.4231 | $ 12.69 |
| 100+ | $ 0.3597 | $ 35.97 |
| 500+ | $ 0.3239 | $ 161.95 |
| 1,000+ | $ 0.3076 | $ 307.60 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | AGMSEMI | |
| Imballo | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 661pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 71A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 11mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.036nF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | AGMSEMI | |
| Imballo | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 120V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 661pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 71A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| RDS(on) | 11mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.036nF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
The AGM12T08D combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Advance high cell density Trench technology
- Low RDS(ON) to minimize conductive loss
- Low Gate Charge for fast switching
- Low Thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- 100% DVDS tested
Applicazioni
Traduzione AI
- MB/VGA Vcore
- SMPS 2nd Synchronous Rectifier
- POL application
- BLDC Motor driver
C41349461 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |