- 핀아웃
- 풋프린트
실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
LGE MMBT2907A
| 제조업체 | LGEAsian Brands |
| 제조사 품번 | MMBT2907A |
| LCSC 번호 | C402271 |
| 포장 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | TRANS PNP 60V 600mA SOT-23 |
| 데이터시트 | LGE MMBT2907A |
| 대체 부품 | 2 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | LGE | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 10nA | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.6V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | LGE | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 10nA | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.6V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Epitaxial planar die construction.
- Complementary NPN type available MMBT2222A.
- Ideal for medium power amplification and switching.
응용 분야
AI 번역
- This device is designed as a general purpose amplifier and switching.
- The useful dynamic range extends to 600mA as a switch and to 100MHz as a amplifier.
재고 있음: 2,550
2,550 재고 있음, 당일 발송
최소값: 50배수: 50판매 단위: Piece
BOM 목록에 추가
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 50+ | $ 0.0194 | $ 0.97 |
| 500+ | $ 0.0152 | $ 7.60 |
| 3,000+ | $ 0.0124 | $ 37.20 |
| 6,000+ | $ 0.011 | $ 66.00 |
| 24,000+ | $ 0.0098 | $ 235.20 |
| 51,000+ | $ 0.0092 | $ 469.20 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
수량이 많을수록 더 좋은 가격?
$
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | LGE | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 10nA | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.6V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | LGE | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 10nA | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.6V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Epitaxial planar die construction.
- Complementary NPN type available MMBT2222A.
- Ideal for medium power amplification and switching.
응용 분야
AI 번역
- This device is designed as a general purpose amplifier and switching.
- The useful dynamic range extends to 600mA as a switch and to 100MHz as a amplifier.
C402271 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |