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Modelli EDAEasyEDA
Infineon BSS670S2LH6433XTMA1
| Produttore | |
| Cod. Prod. | BSS670S2LH6433XTMA1 |
| Cod. LCSC | C3282196 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 55V 0.54A SOT-23 |
| Scheda Tecnica | Infineon BSS670S2LH6433XTMA1 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 540mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| RDS(on) | 825mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.26nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 540mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| RDS(on) | 825mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.26nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- N-Channel
- Enhancement mode
- Logic Level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Disponibile: 20
20 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5251 | $ 0.53 |
| 10+ | $ 0.4182 | $ 4.18 |
| 30+ | $ 0.3718 | $ 11.15 |
| 100+ | $ 0.3145 | $ 31.45 |
| 500+ | $ 0.2897 | $ 144.85 |
| 1,000+ | $ 0.2742 | $ 274.20 |
Package Standard10000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 540mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| RDS(on) | 825mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.26nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 360mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 540mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| RDS(on) | 825mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.26nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- N-Channel
- Enhancement mode
- Logic Level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
C3282196 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS670S2L H6327 | Infineon | SOT-23 | 60 | $ 0.15 | ||
| BSS670S2LH6327 | Infineon | SOT-23 | 725 | $ 0.1882 | ||
| IRLML2060TRPBF | TECH PUBLIC | SOT-23 | 12,680 | $ 0.0838 | ||
| SI2308BDS | TECH PUBLIC | SOT-23 | 5,990 | $ 0.0796 | ||
| SI2310A | TECH PUBLIC | SOT-23 | 4,810 | $ 0.0654 | ||
| IRLML0060TRPBF-JSM | JSMSEMI | SOT-23-3 | 2,475 | $ 0.1645 | ||
| IRLML0060TRPBF | TECH PUBLIC | SOT-23 | 1,330 | $ 0.0742 | ||
| FDN5630 | TECH PUBLIC | SOT-23 | 80 | $ 0.0594 | ||
| KY2310 | KY | SOT-23 | 770 | $ 0.0476 | ||
| SP1N30T1 | Siliup | SOT-23-3L | 0 | $ 0.0476 |