LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Anmelden
USD
Warenkorb
WILLSEMI WPM2093-3/TR product image
  • WPM2093-3/TR thumbnail 1
  • WPM2093-3/TR thumbnail 2
  • WPM2093-3/TR thumbnail 3
  • Pinbelegung
  • Footprint
Abbildung ähnlich

WILLSEMI WPM2093-3/TR

Hersteller
WILLSEMIAsian Brands
Herst.-Teilenr.
WPM2093-3/TR
LCSC-Nr.
C2931332
Verp.
SOT-723
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET P-CH 20V 0.91A SOT-723
DatenblattWILLSEMI WPM2093-3/TR
Vorrätig: 4,930
4,930 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 10Vielfaches: 10Verkaufseinheit: Piece
Zur BOM-Liste hinzufügen
Stk.E-PreisGesamtbetrag
10+$ 0.0622$ 0.62
100+$ 0.0496$ 4.96
300+$ 0.0433$ 12.99
1,000+$ 0.0386$ 38.60
5,000+$ 0.0349$ 174.50
8,000+$ 0.033$ 264.00
Standardgehäuse8000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerWILLSEMI
Verp.SOT-723
Output Capacitance(Coss)25pF
Pd - Power Dissipation450mW
ConfigurationStandalone
Drain to Source Voltage20V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)910mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
RDS(on)360mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)19pF
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)104pF
Gate Charge(Qg)1.1nC@4.5V
Vgs±10V
TypeP-Channel
Hilfe & FeedbackÄhnliche Produkte anzeigen (0) >

Beschreibung

KI-Übersetzung

The WPM2093 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product WPM2093 is Pb-free.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Trench Technology
  • Supper high density cell design
  • Excellent ON resistance
  • Extremely Low Threshold Voltage
  • Small package SOT-723

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • DC/DC converters
  • Power supply converters circuit
  • Load/Power Switching for portable device