CBI MMDT3904V
| Produttore | CBIAsian Brands |
| Cod. Prod. | MMDT3904V |
| Cod. LCSC | C2836087 |
| Imballo | SOT-563 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 40V 300 200mA NPN 2 NPN SOT-563 Single Bipolar Transistors |
| Scheda Tecnica | CBI MMDT3904V |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | CBI | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV;300mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | CBI | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV;300mV |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Epitaxial planar chip structure
- Low-power amplification and switching applications
Disponibile: 2,700
2,700 Pronta consegna
Minimo: 20Multiplo: 20Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 20+ | $ 0.0427 | $ 0.85 |
| 200+ | $ 0.0348 | $ 6.96 |
| 600+ | $ 0.0304 | $ 18.24 |
| 3,000+ | $ 0.0278 | $ 83.40 |
| 9,000+ | $ 0.0255 | $ 229.50 |
| 21,000+ | $ 0.0243 | $ 510.30 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | CBI | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV;300mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | CBI | |
| Imballo | SOT-563 | |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV;300mV |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Epitaxial planar chip structure
- Low-power amplification and switching applications
C2836087 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |



