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TOSHIBA TPN4R712MD,L1Q product image
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TOSHIBA TPN4R712MD,L1Q

Fabricante
N.º de pieza fab.
TPN4R712MD,L1Q
Nº LCSC
C5961944
Emb.
TSON-8(3.1x3.1)
Número de Cliente
Atrib. clave
20V 36A 1.2V 42W 4.7mΩ@4.5V 1 P-Channel TSON-8(3.1x3.1) Single FETs, MOSFETs RoHS
Hoja de DatosTOSHIBA TPN4R712MD,L1Q
Piezas alternativas2
Garantía en cada pedido
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200+$ 0.2849$ 56.98
500+$ 0.2758$ 137.90
1,000+$ 0.2698$ 269.80
Encapsulado Estándar5000/Full Reel
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$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteTOSHIBA
Emb.TSON-8(3.1x3.1)
Drain to Source Voltage20V
Current - Continuous Drain(Id)36A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.2V
Pd - Power Dissipation42W
RDS(on)4.7mΩ@4.5V
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)4.3nF
Gate Charge(Qg)65nC@5V

Características

Traducción por IA
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)
  • Low leakage current: IDSS = -10 μA (max.) (VDS = -20 V)
  • Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Lithium-ion secondary battery
  • Power management switch

Piezas alternativas

MPNFabricanteEmpaqueDisponibilidadPrecio unitario
SP20P07NJSiliupPDFNWB-8L(3.3x3.3)1,095$0.0966 $0.1379
XPN9R614MC,L1XHQTOSHIBATSON-8(3.1x3.1)50$ 1.8635