HXY MOSFET 2P4M

Fabricante	HXY MOSFETAsian Brands
Cód. da peça	2P4M
Nº LCSC	C50313591
Emb.	SOT-89
Número do Cliente
Atrib. princ.	3mA 90uA 600V SOT-89 TRIACs
Folha de Dados	HXY MOSFET 2P4M

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Thyristors/TRIACs
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-89
Operating Temperature	-
Holding Current (Ih)	3mA
Current - Gate Trigger(Igt)	90uA
Voltage - On State(Vtm)	1.6V
Average Gate Power Dissipation (PG(AV))	-
Current - On State(It(RMS))	2A
Peak off - state voltage(Vdrm)	600V
Current - Surge(Itsm@f)	20A
SCR Type	-
Gate Trigger Voltage (Vgt)	800mV

Tipo	Descrição
Average Gate Power Dissipation (PG(AV))	-
Current - On State(It(RMS))	2A
Peak off - state voltage(Vdrm)	600V
Current - Surge(Itsm@f)	20A
SCR Type	-
Gate Trigger Voltage (Vgt)	800mV

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Descrição

Tradução por IA

The 2P4M 2A thyristor series offers high dv/dt rates and strong EMI immunity. Particularly recommended for residual current circuit breakers, hair straighteners, igniters, and similar applications.

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50+	$ 0.079$ 0.0672	$ 3.36
150+	$ 0.0695$ 0.0591	$ 8.87
1,000+	$ 0.0623$ 0.0530	$ 53.00
2,000+	$ 0.0566$ 0.0482	$ 96.40
5,000+	$ 0.0537$ 0.0457	$ 228.50
Encapsulamento Padrão1000/Full Reel

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