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VISHAY SI4890DY-T1-E3
| Fabricante | |
| Cód. da peça | SI4890DY-T1-E3 |
| Nº LCSC | C5917689 |
| Emb. | SOIC-8 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 30V 11A 800mV 1.6W 12mΩ@10V 1 N-channel SOIC-8 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados | VISHAY SI4890DY-T1-E3 |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SOIC-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| RDS(on) | 12mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@5V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SOIC-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| RDS(on) | 12mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@5V |
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Recursos
Tradução por IA
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
- TrenchFET power MOSFET
- Optimized for high-efficiency PWM
- RoHS compliant per directive 2002/95/EC
Aplicações
Tradução por IA
- DC/DC converter
- High-speed switching
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.2519 | $ 3.25 |
| 200+ | $ 1.2971 | $ 259.42 |
| 500+ | $ 1.2547 | $ 627.35 |
| 1,000+ | $ 1.2335 | $ 1233.50 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SOIC-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| RDS(on) | 12mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@5V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SOIC-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| RDS(on) | 12mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@5V |
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Recursos
Tradução por IA
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
- TrenchFET power MOSFET
- Optimized for high-efficiency PWM
- RoHS compliant per directive 2002/95/EC
Aplicações
Tradução por IA
- DC/DC converter
- High-speed switching
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMS15N06T | Cmos | Similares | SOP-8 | 105 | $0.1689 $0.1777 | ||
| YFW40N03S | YFW | Similares | SOP-8 | 2,755 | $0.0782 $0.0977 | ||
| TW15N06S | TWGMC | Similares | SOP-8 | 2,050 | $ 0.1165 | ||
| TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Similares | SOP-8 | 2,319 | $0.0752 $0.3955 | ||
| AO4480 | TECH PUBLIC | Similares | SOP-8 | 2,340 | $0.1150 $0.121 |
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