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HXY MOSFET SS110
| Fabricante | HXY MOSFETAsian Brands |
| Cód. da peça | SS110 |
| Nº LCSC | C5766665 |
| Emb. | SMA |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | DIODE SCHOTTKY 100V SMA |
| Folha de Dados | HXY MOSFET SS110 |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Fabricante | HXY MOSFET | |
| Emb. | SMA | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@100V | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Fabricante | HXY MOSFET | |
| Emb. | SMA | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@100V | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A |
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 50+ | $ 0.02$ 0.0180 | $ 0.90 |
| 500+ | $ 0.0158$ 0.0143 | $ 7.15 |
| 2,000+ | $ 0.0125$ 0.0113 | $ 22.60 |
| 4,000+ | $ 0.0111$ 0.0100 | $ 40.00 |
| 24,000+ | $ 0.0099$ 0.0090 | $ 216.00 |
| 50,000+ | $ 0.0093$ 0.0084 | $ 420.00 |
Encapsulamento Padrão2000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Fabricante | HXY MOSFET | |
| Emb. | SMA | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@100V | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Fabricante | HXY MOSFET | |
| Emb. | SMA | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@100V | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A |
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C5766665 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1100Q-13-F-HXY | HXY MOSFET | Similares | SMA | 175 | $0.1122 $0.1402 | ||
| RB168L100DDTE25-HXY | HXY MOSFET | Similares | SMA | 180 | $ 0.3232 | ||
| S100-HXY | HXY MOSFET | Similares | SMA | 110 | $0.0469 $0.0586 | ||
| SK110-AQ-HXY | HXY MOSFET | Similares | SMA | 180 | $0.0962 $0.1202 | ||
| SS19 | HXY MOSFET | Similares | SMA | 70 | $0.2508 $0.3134 |